Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Геофизика -> Шевнин В.А. -> "Электроразведка методом сопротивлений" -> 36

Электроразведка методом сопротивлений - Шевнин В.А.

Шевнин В.А., Акуленко С.А., Березина С.А., Бобачев А.А., Большаков Д.К., Горбунов А.А., Игнатова И.Д., Любчикова А.В., Марченко М.Н., Модин И.Н., Перваго Е.В., Рыжов А.А., Симоне М.М., Смирнова Т.Ю., Яковлев А.Г. Электроразведка методом сопротивлений: Учебное пособие. Под редакцией В.К. Хмелевского и В.А. Шевнина — M.: Изд-во МГУ, 1994. — 160 c.
ISBN 5-211-03303-5
Скачать (прямая ссылка): ka1994electrorazv-metod-sopr.pdf
Предыдущая << 1 .. 30 31 32 33 34 35 < 36 > 37 38 39 40 41 42 .. 49 >> Следующая


40 20 10.

б:

4-

1.2 1.5 2 3 4 5 ановки (рис.5.1.5(4)) не сме- Рис.5.1.6 Зависимость Як от pN / рт

щено. Необходимо отметить, что такой эллипс, как на рис.5.1.5(4) может быть получен лишь при учете знаков составляющих его двух компонент. Без учета знака эллипсы для T-установки и все зависимости, полученные для нее будут иными. Легко показать, что среднее рк T - установки эквивалентно по чувствительности к анизотропии рк установки ДЭП (рис.5.1.4). Действительно, установка ДЭП - это комбинация двух Г-образных установок (AM-MN и BN-NM)1 и T - установка - аналогичная комбинация (AM_MN3 и AM_MN4). В ДЭП сложение полей двух Г-установок происходит в момент измерения, а в T - путем расчета. Уровень сигнала в Т-установке вдвое слабее, чем в ДЭП (один питающий электрод вместо двух). Геометрический коэффициент рассчитывается аналогично. Для идеальных установок:

кпэп = 2* "° . Кт=4п (6)

дэп AB MN т MN2

а для реальной T -установки:

K1



1

1

(7)

AM AN

Как и установка ДЭП, Т-установка дает Д,к пропорциональное А5 (при R/AB или R/MN >5) (рис.5.1.4-5.1.8), т.е. значительно чувствительнее традиционных установок. Поэтому в тех случаях, когда для AM или AMN эллипс уже не отличается от круга, Т-установка еще сохраняет заметную эллиптич-

Xk= 1.11

о-

Xk= 1.67

-е-

ALFA=20° Xk=Lg3 Xk=j4.5

ALFA=90e

RoN/RoT=3

R=S

A=I

коми

1u2O 30 40 5b6b7b85^9OALFA

Рис.5.1.7 Эллипсы анизотропии Рис.5.1.8. Зависимости Хк от а и для E и T компонент при of=90 и X для E и T составляющих при 20» Z=O

ность круговой диаграммы (рис. 5.1.7). Отношения осей эллипса анизотропии (или Хк) традиционных (AMN) и Т-установки зависят от многих условий наблюдений и среды: отношения R/MN (рис.5.1.4), истинного X (рис.5.1.6), угла наклона анизотропной толщи (рис.5.1.8).

Круговые наблюдения с погруженным источником'

Преимущества Т-установки перед дипольной экваториальной становятся заметны при погружении источника тока в скважину, т.к. точечный источник опустить в скважину проще. Для погруженного источника эллипсы кругового профилирования становятся асимметричными для установок AM (для краткости - U)1 AMN (для краткости - E) и 2-компонентной (T). Эта асимметрия может быть выражена в виде отношения Ь/с, где b - значение рк по восстанию, а с - по падению толщи. В силу асимметрии эллипсов меняется величина Ак - отношение ширины эллипса по простиранию (2а) к ширине вкрест простирания (Ь+с), которое, строго говоря, не всегда есть отношение большой к малой оси (см. рис. 5.1.11, 5.1.13).

На рис. 5.1.9 показана зави- 2lX. симость Хк, а на рис. 5.1.10 -Ь/с для U, E и T компонент от ю, угла падения анизотропной толщи « для случая, когда питающий эле- ¦ ктрод опущен в скважину. Интересно отметить, что в этих случаях U и E компоненты ведут себя ,

ПО разному, ТОГДа как При ЗЭЗеМ- О 10 20 30 4¦0 50 60 70 80 90ALFA

лении А на поверхности они про- рис.5.-|.9. Зависимость Хк являли себя одинаково. Если Хк для и, E и T от угла a для EnUc ростом а от 0е до90°

возрастает монотонно, то для E на рис.5.1.9 видна область инверсии (при а от 10е до 40е). Графики отношения Ь/с, в отличие от Хк имеют экстремальный характер с максимумами при а=30°-40в (рис. 5.1.10).

Изменения в эллипсах анизотропии для U, E и T составляющих, происходящие при погружении источника тока (с ростом Z/R) показаны на рис. 5.1.11 и 5.1.12.

На рис. 5.1.11 представлены зависимости Хк от Z/R. При Z/R от 0.02 до 0.5 Хк сначала меняется слабо, а потом более заметно. T - компонента по величине Хк заметно выше U и

EoN/КоТгЗ Е.5, Z>2,Mfcl

нент

RoN/ВбТіЗ, ALFAsSO*

Е. Величины Хк для U и E при Z/R<0.1 практически не различаются. С ростом Z/R Ак для U убывает монотонно, а Ак для E испытывает инверсию, особенно сильную при Z/R =1. При инверсии ось эллипса по простиранию оказывается короче оси эллипса

ВКреСТ ПрОСТИраНИЯ (нєт ПараДО- о 10 20 30 40 50 60 70 80 90ALFA

кса анизотропии), что проявляется Рис510. зависимость b/c при Z/R от 0.6 до 2.5. При боль- OJ а для U, E и T компо-ших Z/R парадокс анизотропии восстанавливается и Ак возрастает до 1.6. Для T - компоненты Лк после резкого убывания становится меньше 1, т.е. также отмечается инверсия, хотя и менее выраженная, чем для Е, затем с ростом Z/R кк асимптотически приближается к 1 снизу.

На рис.5.1.12 показаны изменения в соотношении полуосей эллипса b и с (для азимутовЭО6 Рис.5.1.11. ЗависимостьАкот и 270е, по восстанию и падению глубины Z/R источника тока толщи) в зависимости от Z/R. Эта асимметрия эллипса характеризует чувствительность компонент поля к углу наклона для погруженного на глубину источника тока. В случае источника на поверхности (или при Z/R < 0.05) эта асимметрия отсутствует. Компоненты U и T ведут себя сходным образом, хотя и различаются IO чувствительности. Отношение э/с стремится к 1 для малых и Зольших Z/R и максимально при ?/R=1 ¦ Компонента E ведет себя _т совершенно иначе. Она возраста-
Предыдущая << 1 .. 30 31 32 33 34 35 < 36 > 37 38 39 40 41 42 .. 49 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed