Электроразведка методом сопротивлений - Шевнин В.А.
ISBN 5-211-03303-5
Скачать (прямая ссылка):
40 20 10.
б:
4-
1.2 1.5 2 3 4 5 ановки (рис.5.1.5(4)) не сме- Рис.5.1.6 Зависимость Як от pN / рт
щено. Необходимо отметить, что такой эллипс, как на рис.5.1.5(4) может быть получен лишь при учете знаков составляющих его двух компонент. Без учета знака эллипсы для T-установки и все зависимости, полученные для нее будут иными. Легко показать, что среднее рк T - установки эквивалентно по чувствительности к анизотропии рк установки ДЭП (рис.5.1.4). Действительно, установка ДЭП - это комбинация двух Г-образных установок (AM-MN и BN-NM)1 и T - установка - аналогичная комбинация (AM_MN3 и AM_MN4). В ДЭП сложение полей двух Г-установок происходит в момент измерения, а в T - путем расчета. Уровень сигнала в Т-установке вдвое слабее, чем в ДЭП (один питающий электрод вместо двух). Геометрический коэффициент рассчитывается аналогично. Для идеальных установок:
кпэп = 2* "° . Кт=4п (6)
дэп AB MN т MN2
а для реальной T -установки:
K1
2л
1
1
(7)
AM AN
Как и установка ДЭП, Т-установка дает Д,к пропорциональное А5 (при R/AB или R/MN >5) (рис.5.1.4-5.1.8), т.е. значительно чувствительнее традиционных установок. Поэтому в тех случаях, когда для AM или AMN эллипс уже не отличается от круга, Т-установка еще сохраняет заметную эллиптич-
Xk= 1.11
о-
Xk= 1.67
-е-
ALFA=20° Xk=Lg3 Xk=j4.5
ALFA=90e
RoN/RoT=3
R=S
A=I
коми
1u2O 30 40 5b6b7b85^9OALFA
Рис.5.1.7 Эллипсы анизотропии Рис.5.1.8. Зависимости Хк от а и для E и T компонент при of=90 и X для E и T составляющих при 20» Z=O
ность круговой диаграммы (рис. 5.1.7). Отношения осей эллипса анизотропии (или Хк) традиционных (AMN) и Т-установки зависят от многих условий наблюдений и среды: отношения R/MN (рис.5.1.4), истинного X (рис.5.1.6), угла наклона анизотропной толщи (рис.5.1.8).
Круговые наблюдения с погруженным источником'
Преимущества Т-установки перед дипольной экваториальной становятся заметны при погружении источника тока в скважину, т.к. точечный источник опустить в скважину проще. Для погруженного источника эллипсы кругового профилирования становятся асимметричными для установок AM (для краткости - U)1 AMN (для краткости - E) и 2-компонентной (T). Эта асимметрия может быть выражена в виде отношения Ь/с, где b - значение рк по восстанию, а с - по падению толщи. В силу асимметрии эллипсов меняется величина Ак - отношение ширины эллипса по простиранию (2а) к ширине вкрест простирания (Ь+с), которое, строго говоря, не всегда есть отношение большой к малой оси (см. рис. 5.1.11, 5.1.13).
На рис. 5.1.9 показана зави- 2lX. симость Хк, а на рис. 5.1.10 -Ь/с для U, E и T компонент от ю, угла падения анизотропной толщи « для случая, когда питающий эле- ¦ ктрод опущен в скважину. Интересно отметить, что в этих случаях U и E компоненты ведут себя ,
ПО разному, ТОГДа как При ЗЭЗеМ- О 10 20 30 4¦0 50 60 70 80 90ALFA
лении А на поверхности они про- рис.5.-|.9. Зависимость Хк являли себя одинаково. Если Хк для и, E и T от угла a для EnUc ростом а от 0е до90°
возрастает монотонно, то для E на рис.5.1.9 видна область инверсии (при а от 10е до 40е). Графики отношения Ь/с, в отличие от Хк имеют экстремальный характер с максимумами при а=30°-40в (рис. 5.1.10).
Изменения в эллипсах анизотропии для U, E и T составляющих, происходящие при погружении источника тока (с ростом Z/R) показаны на рис. 5.1.11 и 5.1.12.
На рис. 5.1.11 представлены зависимости Хк от Z/R. При Z/R от 0.02 до 0.5 Хк сначала меняется слабо, а потом более заметно. T - компонента по величине Хк заметно выше U и
EoN/КоТгЗ Е.5, Z>2,Mfcl
нент
RoN/ВбТіЗ, ALFAsSO*
Е. Величины Хк для U и E при Z/R<0.1 практически не различаются. С ростом Z/R Ак для U убывает монотонно, а Ак для E испытывает инверсию, особенно сильную при Z/R =1. При инверсии ось эллипса по простиранию оказывается короче оси эллипса
ВКреСТ ПрОСТИраНИЯ (нєт ПараДО- о 10 20 30 40 50 60 70 80 90ALFA
кса анизотропии), что проявляется Рис510. зависимость b/c при Z/R от 0.6 до 2.5. При боль- OJ а для U, E и T компо-ших Z/R парадокс анизотропии восстанавливается и Ак возрастает до 1.6. Для T - компоненты Лк после резкого убывания становится меньше 1, т.е. также отмечается инверсия, хотя и менее выраженная, чем для Е, затем с ростом Z/R кк асимптотически приближается к 1 снизу.
На рис.5.1.12 показаны изменения в соотношении полуосей эллипса b и с (для азимутовЭО6 Рис.5.1.11. ЗависимостьАкот и 270е, по восстанию и падению глубины Z/R источника тока толщи) в зависимости от Z/R. Эта асимметрия эллипса характеризует чувствительность компонент поля к углу наклона для погруженного на глубину источника тока. В случае источника на поверхности (или при Z/R < 0.05) эта асимметрия отсутствует. Компоненты U и T ведут себя сходным образом, хотя и различаются IO чувствительности. Отношение э/с стремится к 1 для малых и Зольших Z/R и максимально при ?/R=1 ¦ Компонента E ведет себя _т совершенно иначе. Она возраста-