Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Электротехника -> Рутледж Д. -> "Энциклопедия практической электроники" -> 177

Энциклопедия практической электроники - Рутледж Д.

Рутледж Д. Энциклопедия практической электроники — M.: ДМК Пресс, 2002. — 528 c.
ISBN 5-94074-096-0
Скачать (прямая ссылка): enciklopediya2002.djvu
Предыдущая << 1 .. 171 172 173 174 175 176 < 177 > 178 179 180 181 182 183 .. 193 >> Следующая

Этот транзистор разработан для применения в усилителях и генераторах в военном и промышленном оборудовании. Предназначен для использования в качестве выходного, задающего или каскада предусилителя в СВЧ устройствах. Основные характеристики на частоте 175 МГц при напряжении 28 В:
о выходная мощность - 2,5 Вт;
о минимальный коэффициент усиления - 10 дБ;
о КПД - 50%.
Таблица4.13. Максимально допустимые значения параметров транзистора 2N3553
Параметр Обозначение Значение Единицы измерения
Напряжение коллектор-эмиттер UCE0 40 в
Напряжение коллектор-база UCB 65 в
Напряжение эмиттер-база UEB 4,0 в
Коллекторный ток 1с 1,0 А
Полная рассеиваемая мощность при Тд = 25 'С P0 7,0 Вт
Диапазон рабочих температур и температур хранения Tj1 Tstg -65...+200 •с
Таблица 4.14. Электрические характеристики транзистора 2 N3553
Параметр Обозначение Значение min max Единицы измерения
Характеристики в запертом состоянии
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (1с = 200 мА, I8 = 0) UCE0 40 в
Напряжение пробоя эмиттер-база (1Е = 0,1 мкА, lc = 0) Цвілево 4,0 в
Коллекторный ток отсечки (UCE = 30 В, lB = 0) lCE0 0,1 мА
Коллекторный ток отсечки (UCE = 30 В, UEB = 1,5 В, Тс = 200 *С) lCEX (UCE = 65 В, UEB=1,5 В) 5,0 1.0 мА
Эмиттерный ток отсечки (Ug8 = 4,0 В, lc = 0) lEB0 0,1 мА
Характеристики в открытом состоянии
Коэффициент усиления постоянного тока hre (lc = 250 мА, UCE = 5,0 В) 10 -
Напряжение Насыщения КОЛЛекТОр-ЭМИТТер UCE(sat) (lc ¦ 250 MAdc, 1в = 50 мА) 1,0 в
Динамические характеристики
Предельная частота коэффициента передачи тока fT (1с = 100 мА, UCE= 28 В, f - 100 МГц) 500 МГц
Выходная емкость (UCB = 30 В, lE = 0, f = 100 кГц) Сов 8,0 10 пФ
Функциональные тесты
Входная мощность P1n (UCE - 28 В, Роит = 2,5 Вт, f = 175 МГц) 0,25 B
Коэффициент усиления мощности схемы GPE с общим эмиттером (UCE = 28 В, Роит = 2,5 Вт, f = 175 МГц) 10 ДБ
КПД коллектора (UCE = 28 В, Роит = 2,5 Вт, f = 175 МГц) л 50 %
15'
"-TTR
4V
Посадочная площадка
Модель 1 Выбоды:
1 — эмиттер
2 - база
3 - коллектор
\ф 0,36 (0,014) © I T [ А ® I H (M)]
Размер ' Дюйми Миллиметры
MIN MAX MIN MAX
А 0,335 0,370 8,51 9,39
В • 0,305 0,335 7,75 8,50
С 0,240 0,260 6,10 6,60
D 0,016 0,021 0,41 0,53
E 0,009 0,041 0,23 1,04
F 0,016 0,019 0,41 Q,48
G 0,200 BSC 5,08 BSC
H 0,028 0.034 0,72 0.86
J 0,029 0,045 0,74 1,14
К 0,500 0,750 12,70 19,05
L 0,250 --- 6,35 ---
M 45' BSC 45' BSC
P --- 0,050 --- 1,27
R 0,100 --- 2,54 ---
CASE 79-04 TO-205AD (T0-39)
Рис4.35. Размеры корпуса 79-04 TO-205AD (TO-39)
ХАРАКТЕРИСТИКИ КОМПЛЕКТУЮЩИХ ЩЩ
Высокочастотный у
бход >—ф-Уг
28 Vdc
Высокочастотный
быход
L1-2 битка пробода No16 AWG1 внутренний диаметр 3/16", длина 1/4" L2—2 битка пробода No16 AWG1 внутренний диаметр 3/16", длина 1/4" L3-3 битка пробода No16 AWG1 внутренний диаметр 3/8", длина 3/8"
Рис 4.36. Типовая схема тестирования транзистора 2N 3553 при использовании в качестве УВЧ
Кремниевые транзисторы p-n-р типа 2N3905,2N3906
Коллектор 3
База 2
Эмиттер 3 1
Корпус 29-04, модель 1 ТО-92 (ТО-226АА)
Разработка фирмы Motorola
Рис 4.37. Транзисторы 2N3905,2N3906
Таблица 4.15. Максимально допустимые значения электрических и тепловых характеристик транзисторов 2N3905 и 2N3906
Параметр Обозначение Значение Единицы измерения
Электрические характеристики
Напряжение коллектор-эмиттер uceo 40 B
Напряжение коллектор-база исво 75 B
Напряжение эмиттер-база Uebo 5.0 B
Коллекторный ток 'с 200 мА
Полная рассеиваемая мощность при Тд = 125'С P0 625 мВт
Полная рассеиваемая мощность при Тд = 25*С P0 250 мВт
Диапазон рабочих температур И температур хранения TJ- Tstg -55...+150 •с
Тепловые характеристики
Тепловое сопротивление переход-окружающая среда RftJA 200 (max) 'С/Вт
Тепловое сопротивление переход-корпус RftJC 83,3 (max) •С/Вт
[454І ПРИЛОЖЕНИЕ 4
Таблица4.16. Электрические характеристики транзисторов 2N3905 и 2N3906
Параметр
Обозначение
Значение min max
Единицы измерения
Характеристики в запертом состоянии
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (1с =1,0 мА, lB = 0) U(BR)CEO 40 -- В
Напряжение пробоя коллектор-база (lc = 10 мкА, lE = 0) U(BR)CBO 75 - в
Напряжение пробоя эмиттер-база (lE = 10 мкА, lc = 0) U(BR)EBO 5,0 - в
Коллекторный ток отсечки (UCE = 30 В, UEB = 3,0 В) 1CEX - 50 нА
Базовый ток отсечки (UCE = 30 В, UEB = 3,0 В) 'BL - 50 нА
Характеристики в открытом состоянии
Коэффициент усиления постоянного тока "FE -
I0 = 0.1 мА, UCE= 1,0В 2N3905 30 -
Предыдущая << 1 .. 171 172 173 174 175 176 < 177 > 178 179 180 181 182 183 .. 193 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed