Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Электротехника -> Рутледж Д. -> "Энциклопедия практической электроники" -> 176

Энциклопедия практической электроники - Рутледж Д.

Рутледж Д. Энциклопедия практической электроники — M.: ДМК Пресс, 2002. — 528 c.
ISBN 5-94074-096-0
Скачать (прямая ссылка): enciklopediya2002.djvu
Предыдущая << 1 .. 170 171 172 173 174 175 < 176 > 177 178 179 180 181 182 .. 193 >> Следующая

Рис. 4.21. Схема для измерения времени отпирания (длительности фронта импульса)
Cs'<10pF
Длительность фронта импульса осциллографа < 4 не
*0бщая шунтирующая емкость тестобых зажимоб, соединителей и осциллографа.
Рис. 4.22. Схема для измерения времени запирания (длительности спада импульса)
0,2 0,3 0,50,7 1,0 2,0 3,0 5,07,0 10 20 30 50 70 100 200 300 500 700 1000 Ic1 коллекторный ток, мА
Рис 4.23. Зависимость коэффициента усиления постоянного тока от тока коллектора
[446] ПРИЛОЖЕНИЕ 4
ф (D
а 2
q. о с I
0 о.
1 о . E
Ic=I1O мА
10 мА
¦150 мА
1,0 0,8 0,6 0,4 0,2 0
0,005 0,01 0,02 0,03 0,05 0,1 0,2 0,3 v0,5 1,0 2,0 3,0 5,0 10 20 30 50
Ів, ток базы, мА
Рис. 4.24. Характеристика в области насыщения коллектора
200
100 70 50
о 30 і
а 20
ф о.
od
10
7,0 5,0
3,0 2,0

Ic/I - Tj = з =10 250C -





„ tr ©Vcc= b ^td@VEBfDfrt=2.0 B-
t / d@ V :B(off)=0 В









5,0 7,0 10
20 ЗО 50 70 100
Ic1 ток коллектора, мА
200 300
500
Рис. 4.25. Зависимость длительности фронта импульса от тока коллектора
ХАРАКТЕРИСТИКИ КОМПЛЕКТУЮЩИХ [447]
100


t's= ts -1 /8 tf Vcc=30 Іс/Ів =1 ІВ1 =ІВ2 Tj=25°( В
0




N
f


\

/






5,0 7,0 10 20 ЗО 50 70 100 200 300 500
Ic, гпок коллекторо, мА
Рис 4.26. Зависимость длительности спада импульса и времени накопления заряда оттока коллектора
0,01 0,02 0,05 0,1 0,2 0,5 1,0 2,0 5,0 10 20 50 ЮС
f, частота, кГц
Рис 4.27. Зависимость коэффициента шума от частоты
[448] ПРИЛОЖЕНИЕ 4
10
S1O
З 6,0
2,0

f = 1,0 кГц
/
, Ic = 50 100 500 1;0 м к/ мк/ мк/ мА \


/ /



0,05 0,1 0,2 0,5 1,0 2,0 5,0 10 20 50 100
Rs, сопротивление, кОм
Рис 4.28. Зависимость коэффициента шума от сопротивления
30 20
t 10
D
E о
о 5,0
2
UJ H
• 5,0




b






Ccb


0,1 0,2 0,3 0,5 0,7 1,0 2,0 ,3,0 5,0 7,0 10 20 30 50
Обратное напряжение, В
Рис. 4.29. Зависимость емкости перехода от обратного напряжения
[4551 ПРИЛОЖЕНИЕ 4
+0,5
-0,5
-1.0
¦1,5
-2,0
-2,5



R 0 к 9 ля V CE(i Ot)






R ©vi 3 9 пя \ E


0,1 0.2 0,5 1,0 2.0 5,0 10 20 50 100 200 500
Ic1 ток коллектора, мА
Рис 4.32. Зависимость температурного коэффициента от тока коллектора
Размеры корпуса
Посадочной площадка
г4 ¦ і CD
4
I

X ,-v../ л

N , У U
Модель 17 CASE 029-05 (ТО-226АА) серив AD
Выбоды:
1 — коллектор
2 - база
3 - эмиттер
Размер Дюймы Миллиметры
MIN МАХ MIN МАХ
А 0,175 0.205 4.45 5,20
В 0,170 0.210 4.32 5,33
С 0,125 0.165 3,18 4.19
D 0,016 0,022 0,41 0,55
F 0.016 0,019 0,41 0,48
G 0.045 0,055 1,15 1,39
H 0.095 0,105 2,42 ^ 2,66
J 0.015 0,020 0,39 0.50
К 0.500 --- 12,70 ---
L 0,250 --- 6,35 ---
N 0,080 0,105 2.04 2,66
P --- 0,100 --- 2,54
R 0,115 --- 2,93 ---
V 0,135 --- 3,43 ---
Рис 4.33. Размеры корпуса 029-04 (ТО-226АА), серия AD
ХАРАКТЕРИСТИКИ КОМПЛЕКТУЮЩИХ ptsf]
Высокочастотный кремниевый транзистор п-р-п типа 2N3553
Предыдущая << 1 .. 170 171 172 173 174 175 < 176 > 177 178 179 180 181 182 .. 193 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed