Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Электротехника -> Фалькевич Э.С. -> "Технология полупроводникового кремния" -> 45

Технология полупроводникового кремния - Фалькевич Э.С.

Фалькевич Э.С., Пульнер Э.О., Червоный И.Ф. Технология полупроводникового кремния — М.: Металлургия, 1992. — 408 c.
ISBN 5-229-00740-0
Скачать (прямая ссылка): tehpolkremniya1992.djvu
Предыдущая << 1 .. 39 40 41 42 43 44 < 45 > 46 47 48 49 50 51 .. 162 >> Следующая


По результатам измерений на двух торцах оценивают однородность распределения УЭС. При этом вычисляют:

107
Pn Рц

Pn+Р,

среднее значение УЭС на периферийном кольце каждого торца (рис. 47); Рпі(п2)= (Pi + Рз + Р4 + Рб)/^> _

среднее значение УЭС в центре каждого торца Рці(ц2) = (P2 + P5)^

среднее значение УЭС на каждом торце РТ1(т2)= (Рп + Рц)/2;

радиальное относительное отклонение УЭС на торце =

Х100%.

В этих выражениях Pnb Рп2; Рць Рц2; Pii. P6Ri* 6R2 соотвіетствует значениям величин на одном и другом торцах.

Относительное отклонение средних значений УЭС торцов от номинального значения удельного электрического сопротивления рном

для одного торца

I ^il— ^HOM і

Vhi = I -----:------ 1-100?

fjHOM

для другого торца

і Рт2— Рном і _______

Vh2-I —:------------ I -100%.

"ном

Относительное отклонение средних значений УЭС по длине моно-кристалла_ _

і PtI — Рт2 I

Vl = —=—• 100 %.

1 ' PtI + Рт2 '

В технические условия на монокристаллический кремний обязательно включаются критерии однородности (относительные отклонения по торцу, по объему) Величины УЭС монокристаллов. Оценку проводят по результатам измерений и вычислений по приведенным формулам.

Современные серийные четырехзондовые установки ’’Рометр Ф4802”, ”Метрика-104”, ”Метрика-124” и ”Метрика-224” включают в себя вычислительные комплексы и проводят расчеты соответствия фактических результатов измерений требованиям технических условий, которые вводятся в вычислительный комплекс. Например, установка ”Метрика-124” предназначена для измерения УЭС монокристаллов кремния диам. 50-150 и длиной 100-500 мм в интервале IO-3- IO5 OmX X см. При этом основная относительная погрешность установки при измерении УЭС для диапазонов IO-3- IO3 Ом-см < ± 5 %>, IO3- IO4 Ом-см<

± 10 %, а для более высоких значений не нормируется. Установки этой серии значительно облегчают труд оператора, повышают качество и производительность его труда.

Однозондовый метод измерения УЭС или метод сопротивления растекания основан на пропускании электрического тока через омический 108
контакт металлического зонда малой площади. Предполагается, что второй контакт к образцу имеет пренебрежимо малое сопротивление и расположен на большом расстоянии от зонда. Этот метод используется для оценки микронеоднородности в распределении УЭС в монокристалле с шагом измерения до 1 мкм. В этом методе используются явления, характерные для точечного контакта между металлическим электродом - зондом и поверхностью полупроводника. Сопротивление растекания определяется из уравнения: R = р/4 а, где P - объемное УЭС материала; а - радиус кругового контакта между металлическим электродом и поверхностью полупроводника.

Измерения УЭС материала в этом случае не являются прямыми и требуют использования калибровочных зависимостей, получаемых путем определения сопротивления растекания на образцах, УЭС которых найдено каким-либо другим методом (например, четырехзондо-вым). Косвенный характер рассматриваемого метода позволяет получить правильное значение УЭС образца только при учете различных поправок. Установка ASR-100C (США) обеспечивает получение профиля сопротивления растекания на специально подготовленных образцах и пересчет этих данных в концентрационный профиль или профиль удельного сопротивления с шагом 1-500 мкм в автоматическом режиме работы. Случайная составляющая погрешности измерения величины микронеоднородности УЭС с доверительной вероятностью 0,95 составляет ± 2 % от измеренного значения неоднородности. Теория и область применения этого метода подробно изложены в работах [56,57].

Кроме описанных зондовых методов измерения УЭС монокристаллов, широкое распространение получил бесконтактный метод, основанный на определении сопротивления R, вносимого в контур образцом кремния (рис. 48). При этом образец кремния помещают либо внутрь катушки (индуктивного датчика), либо внутрь конденсатора (емкостного датчика). При внесении одним из указанных приемов образца кремния в колебательный контур изменяется его добротность Q.

Сопротивление R, вносимое в колебательный контур измеряемым

образцом кремния, определяется по формуле: R = (1/Q)у/L/C, где L -индуктивность; С- емкость.

Определив R, вычисляют УЭС: р = RS/1, где ShI- сечение (см2) и длина (см) измеряемого участка.

В промышленности находит применение для бесконтактного измере-

L

Рис. 48. Измерительный высокочастотный контур

109
ния УЭС в интервале 5-150 кОм • см установка К-85410 (для диаметра пластин до 76 мм). Погрешность измерения УЭС на этой установке ±10%.

Время жизни неосновных носителей заряда и методы его измерения

При производстве полупроводниковых приборов важными характеристиками исходного монокристаллического кремния служат время жизни неосновных носителей заряда (н.н.з.) тп и их диффузионная длина Lnp

Неосновные (неравновесные) носители заряда в полупроводниках создают при воздействии на полупроводник света, рентгеновского и у-излучения, быстрых заряженных и нейтральных частиц (электронов, протонов, нейтронов), а также при инжекции носителей заряда из одной области полупроводника в другую, при пробое и других воздействиях.
Предыдущая << 1 .. 39 40 41 42 43 44 < 45 > 46 47 48 49 50 51 .. 162 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed