Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Электротехника -> Баркан В.Ф. -> "Радиоприемные устройства" -> 60

Радиоприемные устройства - Баркан В.Ф.

Баркан В.Ф., Жданов В.К. Радиоприемные устройства — Оборонгиз, 1960. — 467 c.
Скачать (прямая ссылка): radiopriemnieustroystv1960.djvu
Предыдущая << 1 .. 54 55 56 57 58 59 < 60 > 61 62 63 64 65 66 .. 148 >> Следующая

В схеме последовательного детектирования источник переменного тока, диод и нагрузка детектора соединяются последовательно (фиг. 7. 12).
В схеме параллельного детектирования источник переменного тока, диод и нагрузка детектора соединяются параллельно (фиг. 7. 13).
Схема последовательного детектирования применяется в том случае, когда постоянная составляющая тока детектора может замыкаться через источник переменного тока.
Схема параллельного детектирования используется в тех случаях, когда постоянная составляющая тока детектора не должна проходить через источник переменного тока.
Эквивалентное входное сопротивление параллельного детектора 7?авк.э несколько меньше, чем у последовательного детектора, поэтому он оказывает большее шунтирующее действие на контур.
Эквивалентное входное сопротивление детектора, включенного по параллельной схеме фиг. 7. 13, можно рассчитать по следующей формуле:
к УНЧ
Фиг. 7. 12. Схема последовательного детектирования.
Фиг. 7.13. Схема параллельного детектирования.
Я</ ВхЯц
(а)
ЧЇВХ.9
Я</ ВХ ~Ь
но
п _
'Мвх--^~ •
(б)
Поэтому, подставляя формулу (б) в (а), получим
(7.23)
Ян + Ян
199
Таким образом, эквивалентное входное сопротивление параллельного детектора в 1,5 раза меньше входного сопротивления последовательного детектора.
Для постоянной составляющей тока и переменной составляющей низкой частоты диод и сопротивление нагрузки в параллельной схеме детектирования, так же как и в последовательной схеме фиг. 7. 12, оказываются соединенными последовательно. Поэтому к схеме параллельного детектора можно применять все основные соотношения, полученные при анализе работы схемы последова-
Фиг. 7. 14. Схема диодного детектора. ТИВЛЄНИЄ нагрузки /?„ ДЄТЄКТО-
на сопротивления Я\ и Я2. Разделение сопротивления нагрузки позволяет улучшить фильтрацию колебаний высокой частоты и уменьшить нелинейные искажения, возникающие в цепи диодного детектора.
Возникновение нелинейных искажений в диодном детекторе связано с выбором сопротивления нагрузки /?„ и емкости конденсатора С (фиг. 7. 12), а также сопротивления Я$ утечки сетки лампы усилителя низкой частоты.
Нелинейные искажения, связанные со значениями емкости С и сопротивления /?„, проявляются лишь в области наиболее высоких частот модулирующего сигнала. Если постоянная времени нагрузки детектора сравнительно велика, то разряд конденсатора С через сопротивление /?н начинает отставать во времени от изменения амплитуды колебаний высокой частоты, вызванных модуляцией.
Изменение напряжения мср на выходе детектора происходит не по огибающей кривой подводимого напряжения, а по экспоненциальной кривой разряда конденсатора (фиг. 7. 15). Различие в форме кривой огибающей и кривой изменения напряжения на нагрузке является причиной нелинейных искажений.
В промежутке времени от ^ до ^ напряжение на конденсаторе С оказывается больше любой из амплитуд подводимого напря-
тельного детектора.
Одной из особенностей параллельного детектора является наличие на сопротивлении нагрузки напряжения высокой частоты, равного напряжению на зажимах контура. Поэтому на выходе детектора следует применять фильтр нижних частот, не пропускающий на вход последующих каскадов напряжения высокой частоты.
Основной схемой диодного детектора в современных приемниках является схема, приведенная на фиг. 7. 14. Сопро-
ра в таких схемах разделено
200
жения, так как конденсатор не успевает разрядиться, поэтому диод оказывается запертым.
Напряжение на нагрузке изменяется не по огибающей, а по кривой АВ.
Чем больше коэффициент глубины модуляции и чем выше частота модулирующего сигнала, тем значительнее будут нелинейные искажения. Можно показать
что нелинейные искажения подобного вида будут отсутствовать, если выбранные значения /?„ и С удовлетворят следующему неравенству:
#аС<?ЕЕ*Е. (7.24)
/ Огибающая
Фиг. 7. 15. Диаграмма работы детектора при комплексной нагрузке.
Если сопротивление нагрузки /?„ выбрано, то искомая емкость конденсатора С рассчитывается по формуле
С<
(7.25)
В практических расчетах полагают, что на высших частотах модулирующего сигнала коэффициент глубины модуляции т не превышает 0,6—0,8.
Поэтому формулы (7. 24) и (7. 25) можно переписать в следующем виде:
я,с<
с<
0,7
0,7 4-1,5 1,5
(7.26) (7.27)
Пример 7.1. Определить емкость блокировочного конденсатора С детектора, сопротивление нагрузки которого Лн = 0,6 Мом, а наивысшая частота модулирующего сигнала Ув=5000 гц.
По формуле (7.27)
Решение
1,5
80.10-12 ф = 80 пф.
8В/?Н 6,28.5-103.0,6.106
Нелинейные искажения, обусловленные влиянием входной цепи усилителя Низкой частоты, могут возникать в том случае, когда эквивалентное гот:рст:-:ёЛ?ние нагрузки детектора для токов низкой частоты
¦<я.
оказывается значительно меньше сопротивления Ян. В этом случае амплитуда переменной составляющей тока низкой частоты 1^ может оказаться больше, чем постоянная составляющая тока (фиг. 7. 16) и нижний участок полуволны тока окажется отсеченным, т. е. возникнет искажение формы сигнала.
Предыдущая << 1 .. 54 55 56 57 58 59 < 60 > 61 62 63 64 65 66 .. 148 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed