Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Электротехника -> Баркан В.Ф. -> "Радиоприемные устройства" -> 32

Радиоприемные устройства - Баркан В.Ф.

Баркан В.Ф., Жданов В.К. Радиоприемные устройства — Оборонгиз, 1960. — 467 c.
Скачать (прямая ссылка): radiopriemnieustroystv1960.djvu
Предыдущая << 1 .. 26 27 28 29 30 31 < 32 > 33 34 35 36 37 38 .. 148 >> Следующая

Графическое пояснение процесса усиления приведено в фиг. 4. 9. Положение рабочей точки О на характеристике определяется постоянным напряжением на коллекторе Ек=—24 в и током эмит> тера /э0=0,75 ма, получающимся при определенном напряжении смещения Еэ. Через рабочую точку О проведена линия АБ (для
сопротивления /?= 10 ком)у которая может быть названа динамической характеристикой.
Амплитуда тока эмиттера, равная 0,5 ма, может быть получена при ампли-
а)
Фиг. 4.7. Внешний вид образцов полупро- Фиг. 4.8 Упрощенная схема уси-
водниковых триодов. лителя на полупроводниковом
а—точечный, б—слоистый, б—слоистый мощный триоде.
туде входного сигнала порядка 0,2 в. Как видно из графика фиг. 4.9, такое изменение тока эмиттера создает переменное напряжение ик=7 в, что соответствует коэффициенту усиления
К=^-= — = 35. и9 0,2
Принципиально возможны три схемы включения полупроводникового триода в схему усилителя. Схема усилителя, приведенная на фиг. 4. 8, называется схемой с общей базой. На фиг. 4.1СГ, а, б приведены упрощенные схемы с заземленным эмиттером (общим эмиттером) и заземленным коллектором (общим коллектором).
В заключение остановимся на некоторых общих вопросах использования полупроводниковых приборов в современном радио-аппаратостроении.
Широкое применение радиоэлектроники во всех областях науки и техники, решение методами радиотехники многих сложных технических, физических и математических проблем приводит в целом ряде случаев к усложнению схемы радиоаппаратов, увеличению числа одновременно работающих вакуумных приборов, что неизбежно снижает надежность и безотказность работы многих многоламповых устройств. Поэтому полупроводниковые приборы с малыми геометрическими размерами и весом, продолжительностью срока
104
службы, равной продолжительности обычных деталей, не имеющие цепей накала и обладающие более высоким к. п. д., будут несомненно все в большей степени заменять применяемые в настоящее время вакуумные приборы.
Фиг. 4.9. График, поясняющий принцип действия усилителя на полупроводниковом триоде.
На протяжении последних лет в лабораториях многих стран ведутся успешные работы по созданию новых типов полупроводниковых приборов с более совершенными физическими свойствами.
В начале 1955 г. появились первые сообщения о лавинных приборах, работающих в режимах, близких к пробойным. При таком
Фиг. 4. 10. Упрощенные схемы усилителя.
а—с заземленным эмиттером, б—с заземленным коллектором.
Режиме создается дополнительная возможность усиления тока в Цепи коллектора.
Разработаны образцы так называемых поверхностно-барьерных плоскостных триодов, принцип действия которых основан на использовании физического запирающего слоя, образующегося на границе металл—полупроводник.
Созданы униполярные полевые или канальные триоды, в которых управление потоком носителей электрического заряда одного
10S
знака (электронов пли «дырок») производится при помощи внешнего электрического поля (с чем и связано наименование «полевые»).
Созданы образцы дрейфовых триодов. В этих приборах между базой и коллектором расположен дополнительный слой достаточной толщины, имеющий собственную проводимость. Толщину базы в таких приборах можно значительно уменьшить, чго приводит к сокращению времени перемещения в базе носителей элсктрпч^ ского заряда. Перемещение же носителей в дополнительном слое происходит дрейфом в достаточно интенсивном электрическом поле, получаемом повышением напряжения между базой и коллектором.
Введение слоя и повышение напряжения па коллекторе пелюли. ло увеличить и мощность и верхнюю рабочую частоту триода ц<> 500—600 мгц.
Отечественной промышленностью разработаны многочисленные образцы полупроводниковых триодов, предназначенных для работы во многих типах радиоприборов в широком диапазоне частот до десятков и сотен мегагерц.
Некоторые ограничения использования полупроводниковых приборов в радиоаппаратуре связаны главным образом с довольно высоким уровнем собственных шумов (от 18 до 35 до), относительно малой мощностью приборов и зависимостью их свойств от температуры. Высокий уровень собственных шумов имеет значение главным образом в первых каскадах чувствительной аппаратуры. Значительная мощность приборов требуется в выходных устройствах Доля входных и выходных каскадов в современной аппаратуре составляет от 10 до 20'э/о. Таким образом в подавляющем большинстве каскадов (от 90 до 80К)/с) во многих современных радиоаппаратах могут быть использованы полупроводниковые приборы.
Совершенствование технологии производства полупроводниковых приборов позволило расширить температурные границы работы некоторых из них до интервала от —60 до + 120э С.
Изменение физических свойств приборов в рабочем интервале температур может быть снижено специальными методами температурной компенсации.
Весьма важной особенностью принципа работы полупроводниковых приборов является то, что в этих приборах можно управлять носителями электрических зарядов не в свободном вакуумном пространстве, а непосредственно в твердом теле. Подобно тому как раскрытие физических свойств атомов привело к возможности использования ядерных сил, так и развитие науки физики твердых тел несомненно приведет к созданию более совершенных полупроводниковых приборов и использованию их во многих областях современной радиоэлектроники.
Предыдущая << 1 .. 26 27 28 29 30 31 < 32 > 33 34 35 36 37 38 .. 148 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed